Построение распределения по количеству соседей может быть выполнено с помощью программы Statistics2D (разработчик: Дмитрий С. Кошкодаев). Входными данными служат координаты центров масс каждой поры на анализируемом изображении. С помощью полученной информации можно определить долю пор в гексагональном окружении – параметр, с помощью которого удается количественно сравнивать степень упорядочения пористой структуры образцов, полученных в различных условиях анодирования (см. рис. 1).
Рисунок 1. РЭМ изображения поверхности алюминиевых реплик, полученных после растворения пленок анодного оксида алюминия, сформированных при различных напряжениях в 0.3 M H2C2O4 (сверху). Доля пор в гексагональном упорядочении, рассчитанная с помощью программы Statistics2D на основе нескольких микрофотографий РЭМ, содержащих более 105 пор [I.V. Roslyakov, E.O. Gordeeva, K.S. Napolskii, Role of Electrode Reaction Kinetics in Self-Ordering of Porous Anodic Alumina // Electrochimica Acta, 2017, v. 241, pp. 362–369].
Программу Statistics2D и инструкцию по её применению для расчета количества соседей каждой поры Вы можете бесплатно скачать по ссылке ниже.
Информация, извлекаемая из диаграммы Вороного для пористой структуры анодного оксида алюминия позволяет также рассчитать параметр локального порядка (ψ), характеризующий одновременно ориентационный и позиционный порядок [J.R. Borba et al., Quantitative Characterization of Hexagonal Packings in Nanoporous Alumina Arrays: A Case Study // The Journal of Physical Chemistry C, 2012, v. 117(1), pp. 246–251]. Величина ψ может быть рассчитана по формуле:
где θijk – угол между 3 соседними порами, ni – число соседей вокруг i-й поры. Отметим, что для идеальной гексагональной упаковки <ψ> = 1, а в случае абсолютно разупорядоченной структуры <ψ> = 0. Данный параметр Вы также можете рассчитать с помощью программы Statistics2D.
Если Вы воспользовались нашей программой и нашли ее полезной, пожалуйста, процитируйте нашу работу [I.V. Roslyakov, D.S. Koshkodaev, A.A. Eliseev, D. Hermida-Merino, V.K. Ivanov, A.V. Petukhov, K.S. Napolskii. Growth of Porous Anodic Alumina on Low-Index Surfaces of Al Single Crystals // The Journal of Physical Chemistry C, 2017. DOI: 10.1021/acs.jpcc.7b09998] в своих научных трудах.